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[发明专利]一种反铁磁隧道结及其制备方法-CN202310332044.3在审
发明人：刘知琪;冯泽鑫 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种反铁磁隧道结及其制备方法，首先在单晶硅晶圆上沉积绝缘氧化物层，然后在绝缘氧化物层上沉积共线反铁磁钉扎层，随后在共线反铁磁钉扎层上依次沉积非共线反铁磁参考层、隧穿层和非共线反铁磁自由层，结合光刻工艺，最终在硅晶圆上实现具有绝缘氧化层‑共线反铁磁钉扎层‑非共线反铁磁参考层‑隧穿层‑非共线反铁磁自由层的全反铁磁隧道结，由于绝缘氧化物层为单晶膜层，因此能够提高共线反铁磁钉扎层的质量，增大非共线反铁磁参考层和共线反铁磁钉扎层之间的交换偏置作用，提高器件可靠性，同时，该反铁磁隧道结可在硅晶圆上大规模制备，易于集成，具有写入速度快、存储密度高的优势。
一种反铁磁隧道及其制备方法

[发明专利]一种利用反铁磁材料产生可控自旋流的方法、异质结构器件和自旋电子学器件-CN202211402840.1在审
发明人：宋成;白桦;潘峰 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用反铁磁材料产生可控自旋流的方法、异质结构器件和自旋电子学器件。本发明方法包括：通过多场操纵反铁磁自旋源/铁磁功能层异质结构器件的反铁磁磁矩，利用反铁磁磁矩与自旋的相互作用调控自旋流的自旋极化方向和/或调节自旋流强度；反铁磁自旋源/铁磁功能层异质结构器件包括由下至上依次层叠且构成异质结构的衬底层、反铁磁层和铁磁层；反铁磁层的材质为共线反铁磁材料或非共线反铁磁材料；铁磁层为垂直磁化的铁磁层或面内磁化的铁磁层。本发明异质结构器件能够产生可控自旋极化方向的自旋流，以实现相邻铁磁层高效的磁化翻转并带来器件低功耗的优势，其临界自旋流密度相比于传统非磁自旋源可降低一个数量级。
一种利用反铁磁材料产生可控自旋方法结构器件电子学

[发明专利]全电控自旋电子神经元器件、神经元电路和神经网络-CN202110537062.6在审
发明人：邢国忠;王迪;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本公开提供一种全电控自旋电子神经元器件、神经元电路和神经网络，神经元器件包括：底部反铁磁钉扎层；合成反铁磁层，形成于底部反铁磁钉扎层上；势垒层，形成于铁磁自由层上；其中，铁磁自由层的正对势垒层的区域形成阈值区域；铁磁参考层，形成于势垒层上；其中，势垒层、铁磁参考层和铁磁自由层形成磁性隧道结；第一反铁磁钉扎层和第二反铁磁钉扎层，形成于铁磁自由层的除正对势垒层区域外的裸露区域上，且第一反铁磁钉扎层和第二反铁磁钉扎层位于势垒层的两侧；其中，铁磁自由层的正对第一反铁磁钉扎层和第二反铁磁钉扎层的区域分别形成第一钉扎区域和第二钉扎区域；第一电极，形成于铁磁参考层上。
全电控自旋电子神经元器件神经元电路神经网络

[发明专利]一种钉扎铁磁层结构及其制造方法、电磁器件-CN202111206784.X在审
发明人：毕冲;娄凯华;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种钉扎铁磁层结构及其制造方法、电磁器件，钉扎铁磁层结构包括基片、待钉扎铁磁层、环绕包裹在待钉扎铁磁层周围的反铁磁层，且反铁磁层的磁矩方向与待钉扎铁磁层需要的钉扎磁场的方向平行。通过在待钉扎铁磁层的侧面形成反铁磁层，且还使反铁磁层的磁矩方向与待钉扎铁磁层需要的钉扎磁场的方向平行，以实现对待钉扎铁磁层的钉扎。由于反铁磁层位于待钉扎铁磁层的侧面，在待钉扎铁磁层的上方和下方都无需再设置反铁磁层，从而既能够在待钉扎铁磁层的上方又能够在待钉扎铁磁层的下方设置诸如缓冲层等的其他附加层，而不受反铁磁层的影响，防止出现由于晶格失配和界面处材料混合而削弱反铁磁层的钉扎效果
一种钉扎铁磁层结构及其制造方法电磁器件

[发明专利]层叠的磁记录介质-CN01813420.3无效
发明人：霍亚·范多;埃里克·E·富勒顿;戴维·T·马古利斯;哈尔·J·罗森 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-07-06 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种用于数据存储的层叠磁记录介质采用了一种磁记录层，该层至少有两个被非铁磁间隔层分隔的反铁磁耦合(AFC)层。每个AFC层形成为通过一个反铁磁耦合膜反铁磁耦合在一起的两层铁磁膜，该反铁磁耦合膜具有引发第二膜与第一膜的反铁磁耦合的成分和厚度。每个AFC层中的两个反铁磁耦合膜的磁矩反平行取向，并且因而每个AFC层的净磁化强度－厚度乘积(Mrt)为两个铁磁膜的Mrt值之差。两个相邻的AFC层之间的非铁磁间隔层具有足以防止一个AFC层的铁磁膜与相邻AFC层的铁磁膜的任何反铁磁耦合的成分和厚度。
层叠记录介质

[发明专利]一种反铁磁磁力计和反铁磁磁化表征的方法-CN202211135935.1在审
发明人：金飚兵;邱红松;宋成;黄琳;周永健 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G01R33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种反铁磁磁力计，包括飞秒激光、太赫兹时域谱探测元件和电磁铁，所述飞秒激光和太赫兹时域谱探测元件构成太赫兹发射谱光路，反铁磁样品在太赫兹发射谱光路中作为太赫兹源，所述反铁磁样品为由衬底、反铁磁层和重金属层组成的三层结构，所述电磁铁在反铁磁样品上施加磁场。本发明还公开了一种反铁磁磁化表征的方法，利用飞秒激光泵浦反铁磁样品，测量产生的太赫兹发射谱的幅值与外加磁场的关系，标定反铁磁样品的磁化强度。本发明利用反铁磁样品的太赫兹发射谱表征反铁磁磁性的方法具有经济性好、易于调节和实时性强的优势，实现了高灵敏度和易于超快光学系统中集成的反铁磁磁性表征。
一种反铁磁磁力计磁化表征方法

[发明专利]一种磁存储器及其制备方法-CN202111522263.5在审
发明人：卢世阳;殷加亮;商显涛;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁存储器及其制备方法，涉及磁存储器领域，该磁存储器包括：电流写入层以及设置在之上的反铁磁耦合自由层，反铁磁自由层包括：反铁磁耦合层、第一铁磁翻转层以及第二铁磁翻转层，第一铁磁翻转层厚度小于第二铁磁翻转层，第一铁磁翻转层设于反铁磁耦合层与电流写入层之间，第二铁磁翻转层设于反铁磁耦合层之上，第一铁磁翻转层通过所述电流写入层产生的自旋累积实现翻转，翻转过程带动第二铁磁翻转层翻转，由于反铁磁耦合自由层厚度较单自由层高，因此提升了存储器的使用寿命，并且由于反铁磁耦合自由层的第一铁磁翻转层的厚度小于第二铁磁翻转层，可以实现优先翻转，并且带动第二铁磁翻转层翻转，翻转速度大于现阶段的翻转速度。
一种磁存储器及其制备方法

[发明专利]反铁磁材料在应力作用下磁性变化的表征方法、表征器件及其制备方法-CN201710827591.3在审
发明人：谢亚丽;李润伟;詹清峰;王保敏;盛萍 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： G01R33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种反铁磁材料在应力作用下磁性变化的表征方法，具体是：将反铁磁材料表面设置铁磁材料，二者间发生耦合作用；对反铁磁材料提供应力，在应力作用下反铁磁材料的磁性发生变化，由于该耦合作用铁磁材料的磁性也发生变化，通过测量铁磁材料磁性的变化推出反铁磁材料在该应力作用下的磁性变化。利用该表征方法可得到反铁磁材料在应力作用下的磁性变化规律，据此可通过调控应力实现反铁磁材料磁性的调控。本发明还提供了一种表征器件，呈多层膜结构，依次为衬底层、反铁磁材料层、铁磁材料层以及保护层，具有结构简单，方便表征的优点。
反铁磁材料磁性变化应力作用铁磁材料耦合作用反铁磁材料层多层膜结构铁磁材料层表面设置保护层衬底层力作用调控制备测量

[发明专利]磁性薄膜和磁阻效应元件-CN200710159762.6有效
发明人：高桥研;角田匡清;驹垣幸次郎 -专利权人：富士通株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01F10/12 文献下载
摘要：在所述磁性薄膜中，可以可靠地固定诸如固定层的铁磁层的磁化方向。所述磁性薄膜包括：反铁磁层；和铁磁层。反铁磁层由锰系反铁磁材料构成，并且在反铁磁层和铁磁层之间形成有锰层。
磁性薄膜磁阻效应元件

[发明专利]基于磁性多层膜结构的反常能斯特效应热电器件-CN202111186841.2在审
发明人：万蔡华;韩秀峰;司文荣;王翼展;梁云;陈川;黄辉 -专利权人：中国科学院物理研究所;国网上海市电力公司;全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10N15/20 文献下载
摘要：根据一实施例，一种热电器件包括磁性多层膜结构和包围磁性多层膜结构的保护层，磁性多层膜结构包括[反铁磁层/铁磁层]a、[反铁磁层/铁磁层/重金属层]b、以及[反铁磁层/铁磁层/重金属层/铁磁层]c中的一种或多种，铁磁层由铁磁导电材料形成，重金属层由重金属材料形成，[反铁磁层/铁磁层]a结构中的反铁磁层由包括重金属元素的反铁磁材料形成，其余结构中的反铁磁层由反铁磁材料形成，铁磁层具有面内磁矩并且被所述反铁磁层偏置在第一方向上，所述磁性多层膜结构响应于其膜层法线方向上的温度梯度
基于磁性多层膜结构反常能斯特效应热电器件

[发明专利]磁阻磁头及其制造方法-CN200510082332.X无效
发明人：重松惠嗣;西冈浩一;田岛康成 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：使得旋转阀设备的反铁磁层和第一铁磁层之间的交换耦合能以及经由Ru反铁磁耦合层耦合的第一铁磁层和第二铁磁层之间的反铁磁耦合能增加，从而增加磁阻比例并减小旋转阀膜的自由层矫顽磁力。在MnPt反铁磁基础型合成铁型旋转阀膜中，底层、包括MnPt的反铁磁层、包括CoFe的第一铁磁层、包括Ru的反铁磁耦合层、包括CoFe的第二铁磁层、包括Cu的中间非磁性层、包括CoFe和NiFe合成膜的自由层以及保护层被堆叠在基底上，并且第一铁磁层的CoFe_X中的Fe组分被设定为20＜X≤50at％。
磁阻磁头及其制造方法

[发明专利]磁存储器及其制造方法-CN202211499465.7在审
发明人：范晓飞;陈文静;曹凯华;刘宏喜;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造技术领域，具体涉及磁存储器及其制造方法，所述磁存储器至少包括：反铁磁层，所述反铁磁层的材料为非共线反铁磁材料；磁隧道结，设置于所述反铁磁层上，所述磁隧道结自下而上依次包括自由层、隧穿势垒层和参考层；其中，当所述反铁磁层通入电流时，利用所述反铁磁层的自旋轨道矩效应改变所述反铁磁层与所述自由层形成的交换偏置场方向，进而翻转所述自由层的磁矩方向。可以借助非共线反铁磁材料的反铁磁层其内部的自旋轨道矩效应进行磁矩翻转，从而大幅降低了写入电流，进而降低了该磁存储器的功耗，也更易于驱动该磁存储器。
磁存储器及其制造方法

[发明专利]一种具有反铁磁近邻效应的析氧反应电催化剂-CN202210400374.7在审
发明人：胡策;骆兴芳;袁彩雷;周行;俞挺;郭满满;杨勇;徐铿 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2022-04-16 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01F1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有反铁磁近邻效应的析氧反应电催化剂，其包括反铁磁层和设置在所述反铁磁层上的顺磁层。其中，所述反铁磁层的奈尔温度高于室温，且所述顺磁层的厚度小于5纳米。这种具有反铁磁近邻效应的析氧反应电催化剂，在反铁磁近邻效应作用下实现顺磁层的室温铁磁性，因而在外加磁场磁化后析氧反应性能可以得到永久提升。
一种具有反铁磁近邻效应反应催化剂

[发明专利]反铁磁/铁磁交换耦合结构垂直磁偏置异常磁电阻传感器-CN200510081415.7无效
发明人：马修·J·凯里;布鲁斯·A·格尼;斯蒂芬·马特;尼尔·史密斯 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种异常磁电阻(EMR)传感器，其在EMR有源膜上具有反铁磁/铁磁交换耦合双层结构。双层结构中的铁磁层具有垂直磁各向异性并且被反铁磁层交换偏置。反铁磁/铁磁双层结构提供垂直于EMR有源膜平面的磁场来偏置EMR传感器的磁电阻对磁场响应。铁磁层可由任何可用于垂直磁记录的铁磁材料形成，并以其各向异性轴显著地离面的方式来制备。反铁磁层可由任何已知的Mn合金形成，例如PtMn、NiMn、FeMn、IrMn、PdMn、PtPdMn和RhMn，或者由任何绝缘反铁磁材料形成，例如那些基于钴氧化物和镍氧化物的反铁磁材料。
反铁磁交换耦合结构垂直偏置异常磁电传感器

[发明专利]一种室温反铁磁记忆器件及其制备方法-CN202310281276.0有效
发明人：刘知琪;周晓荣 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种室温反铁磁记忆器件及其制备方法，该室温反铁磁记忆器件包括：基底和位于基底一侧的反铁磁氧化物功能层。本发明提供的这种室温反铁磁记忆器件中的反铁磁氧化物功能层利用了反铁磁氧化物材料自旋动力学特征频率为THz和对外界磁场不敏感等特点，使得该室温反铁磁记忆器件具有响应速度快、抗强磁场干扰的优点；其次本发明利用外加电场代替磁场或电流施加在基底上产生压电应力，反铁磁氧化物功能层基于压电应力改变反铁磁自旋轴的取向，进而影响反铁磁氧化物材料的各向异性磁电阻效应，从而使得反铁磁氧化物功能层中的电阻产生不同的非易失电阻态，基于不同的非易失电阻态可以有效避免焦耳热，
一种室温反铁磁记忆器件及其制备方法

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